日前，北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍教授、彭超教授、舒浩文研究員聯(lián)合團(tuán)隊在超高速純硅調(diào)制器研究方面取得重大突破，成功實現(xiàn)了全球首個電光帶寬達(dá)110GHz的純硅調(diào)制器。這是自2004年英特爾在《自然》期刊報道第一個1GHz硅調(diào)制器后，國際上第一次把純硅調(diào)制器的帶寬提高100GHz以上。相關(guān)研究成果以《110GHz帶寬慢光硅調(diào)制器》為題，在線發(fā)表于《科學(xué)·進(jìn)展》。
該純硅調(diào)制器同時具有超高帶寬、超小尺寸、超大通帶及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）集成工藝兼容等優(yōu)勢，滿足了未來超高速應(yīng)用場景對超高速率、高集成度、多波長通信、高熱穩(wěn)定性及晶圓級生產(chǎn)等需求，是硅基光電子領(lǐng)域的重大突破。
隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的規(guī)模和復(fù)雜度也在不斷增加，對數(shù)據(jù)傳輸速率、集成度以及穩(wěn)定性的要求也越來越高。此次突破性的研究成果，正是對這一需求的有力回應(yīng)。它將為高速、短距離數(shù)據(jù)中心和光通信的應(yīng)用提供重要關(guān)鍵技術(shù)支撐，也將為全球的數(shù)據(jù)中心發(fā)展提供新的技術(shù)可能，對下一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展具有重大意義。
圖片來源|我圖網(wǎng)
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